SI7913DN-T1-GE3

制造商编号:
SI7913DN-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
规格说明书:
SI7913DN-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.424746 16.42
10 14.753674 147.54
100 11.857896 1185.79

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 37 毫欧 @ 7.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 1.3W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® 1212-8 双
供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8 双
标准包装: 3,000

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SI7913DN-T1-GE3

型号:SI7913DN-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8

库存:0

单价:

1+: ¥16.424746
10+: ¥14.753674
100+: ¥11.857896
500+: ¥9.742199
1000+: ¥8.350535
3000+: ¥8.350535

货期:1-2天

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