IRFB9N60APBF

制造商编号:
IRFB9N60APBF
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
规格说明书:
IRFB9N60APBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 30.748219 30.75
10 27.643556 276.44
100 22.215681 2221.57

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 750 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 49 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 170W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFB9N60APBF-BE3 Vishay Siliconix ¥24.73000 直接

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IRFB9N60APBF

型号:IRFB9N60APBF

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB

库存:0

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1+: ¥30.748219
10+: ¥27.643556
100+: ¥22.215681
500+: ¥18.252232
1000+: ¥15.644813

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