STP15NM60ND

制造商编号:
STP15NM60ND
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
规格说明书:
STP15NM60ND说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: FDmesh™ II
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 299 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1250 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AOT11S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥19.43000 类似
FCP11N60N onsemi ¥25.65000 类似
IPP60R380E6XKSA1 Rochester Electronics, LLC ¥12.89214 类似
FCP400N80Z onsemi ¥23.12000 类似
FCP380N60 onsemi ¥16.28000 类似

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STP15NM60ND

型号:STP15NM60ND

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB

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