货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥6.041258 | ¥6.04 |
10 | ¥5.340244 | ¥53.40 |
100 | ¥4.092553 | ¥409.26 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 50 毫欧 @ 5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 24 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1293 pF @ 30 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.1W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerDI3333-8 |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
标准包装: | 2,000 |
DMP6050SFG-7
型号:DMP6050SFG-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
库存:0
单价:
1+: | ¥6.041258 |
10+: | ¥5.340244 |
100+: | ¥4.092553 |
500+: | ¥3.235515 |
1000+: | ¥2.588405 |
2000+: | ¥2.345741 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.04