NVMFD5875NLT3G

制造商编号:
NVMFD5875NLT3G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
规格说明书:
NVMFD5875NLT3G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
5000 4.80247 24012.35

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 33 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 540pF @ 25V
功率 - 最大值: 3.2W
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
标准包装: 5,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DMNH6021SPDQ-13 Diodes Incorporated ¥12.75000 类似

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NVMFD5875NLT3G

型号:NVMFD5875NLT3G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

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