库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥56.721946 | ￥56.72 |
| 10 | ￥50.95277 | ￥509.53 |
| 100 | ￥41.7431 | ￥4174.31 |
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规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolSiC™+ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| 二极管类型: | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 31.9A（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.8 V @ 10 A |
| 速度: | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 18 µA @ 1200 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 525pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装: | PG-TO263-2-1 |
| 工作温度 - 结: | -55°C ~ 175°C |
| 标准包装: | 1,000 |
IDK10G120C5XTMA1
型号：IDK10G120C5XTMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：SIC DISCRETE
库存：0
单价：
| 1+： | ￥56.721946 |
| 10+： | ￥50.95277 |
| 100+： | ￥41.7431 |
| 500+： | ￥37.229341 |
| 1000+： | ￥37.229354 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥56.72