STTH4L06QRL

制造商编号:
STTH4L06QRL
制造商:
ST意法半导体
描述:
DIODE GEN PURP 600V 4A DO15
规格说明书:
STTH4L06QRL说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 3 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AC,DO-15,轴向
供应商器件封装: DO-15
工作温度 - 结: 175°C(最大)
标准包装: 6,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
EGP20J onsemi ¥4.99000 类似
1N5618 Microchip Technology ¥30.41000 类似
1N5619 WEC ¥38.94000 类似

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STTH4L06QRL

型号:STTH4L06QRL

品牌:ST意法半导体

描述:DIODE GEN PURP 600V 4A DO15

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