STD90N03L

制造商编号:
STD90N03L
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
规格说明书:
STD90N03L说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 14.624404 14.62
10 13.157404 131.57
100 10.57186 1057.19

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: STripFET™ III
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.7 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 32 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2805 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 95W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFR3709ZTRLPBF Infineon Technologies ¥7.91000 类似
IRFR3709ZTRPBF Infineon Technologies ¥7.91000 类似

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STD90N03L

型号:STD90N03L

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

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1+: ¥14.624404
10+: ¥13.157404
100+: ¥10.57186
500+: ¥8.685802
1000+: ¥7.196882

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