FDB86566-F085

制造商编号:
FDB86566-F085
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
规格说明书:
FDB86566-F085说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 29.032386 29.03
10 26.038382 260.38
100 20.929428 2092.94

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.7毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 110 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6655 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 176W(Tj)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BUK963R3-60E,118 Nexperia USA Inc. ¥24.50000 直接

客服

购物车

FDB86566-F085

型号:FDB86566-F085

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

库存:0

单价:

1+: ¥29.032386
10+: ¥26.038382
100+: ¥20.929428
800+: ¥17.195379
1600+: ¥15.632168

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥29.03