DMT3003LFG-7

制造商编号:
DMT3003LFG-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
规格说明书:
DMT3003LFG-7说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
2000 3.198287 6396.57

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 44 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2370 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.4W(Ta),62W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
标准包装: 2,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AON6794 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥6.07000 类似
RJK0391DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc ¥7.15636 类似

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DMT3003LFG-7

型号:DMT3003LFG-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333

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