CMPDM303NH BK

制造商编号:
CMPDM303NH BK
制造商:
Central美国中央
描述:
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23F
规格说明书:
CMPDM303NH BK说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Central(美国中央)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 @ 1.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): 12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 590 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 350mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23F
封装/外壳: SOT-23-3 扁平引线
标准包装: 3,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
SSM3K324R,LF Toshiba Semiconductor and Storage ¥3.61000 类似

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型号:CMPDM303NH BK

品牌:Central美国中央

描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23F

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