FQD12P10TM-F085

制造商编号:
FQD12P10TM-F085
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
规格说明书:
FQD12P10TM-F085说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
2500 5.835124 14587.81

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 290 毫欧 @ 4.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 800 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),50W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated ¥5.38000 类似

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FQD12P10TM-F085

型号:FQD12P10TM-F085

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252

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