ISL9N303AP3

制造商编号:
ISL9N303AP3
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3
规格说明书:
ISL9N303AP3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: UltraFET™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 172 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7000 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 215W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 400

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPP80N03S4L03AKSA1 Infineon Technologies ¥18.20000 类似
PSMN2R0-30PL,127 Nexperia USA Inc. ¥22.50000 类似
PSMN4R3-30PL,127 Nexperia USA Inc. ¥12.52000 类似
IRF3703PBF Infineon Technologies ¥30.49000 类似
PSMN3R4-30PL,127 Nexperia USA Inc. ¥16.28000 类似

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ISL9N303AP3

型号:ISL9N303AP3

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3

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