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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | UltraFET™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 75A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.2 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 172 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7000 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 215W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 400 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPP80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | ¥18.20000 | 类似 |
| PSMN2R0-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | ¥22.50000 | 类似 |
| PSMN4R3-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | ¥12.52000 | 类似 |
| IRF3703PBF | Infineon Technologies | ¥30.49000 | 类似 |
| PSMN3R4-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | ¥16.28000 | 类似 |
ISL9N303AP3
型号：ISL9N303AP3
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3
库存：0
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货期：1-2天
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