- 制造商编号：
- BAS16E6433HTMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
- 规格说明书：
- BAS16E6433HTMA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 50000 | ￥0.336145 | ￥16807.25 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 80 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 250mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.25 V @ 150 mA |
| 速度: | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 4 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 1 µA @ 75 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装: | PG-SOT23 |
| 工作温度 - 结: | 150°C（最大） |
| 标准包装: | 10,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BAS116LT1G | onsemi | ¥2.38000 | 类似 |
| MMBD4448-7-F | Diodes Incorporated | ¥1.69000 | 类似 |
| SBAS16LT1G | onsemi | ¥2.69000 | 直接 |
| BAS116,215 | Nexperia USA Inc. | ¥2.15000 | 类似 |
| BAS16LT1G | onsemi | ¥1.00000 | 类似 |
BAS16E6433HTMA1
型号：BAS16E6433HTMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
库存：0
单价：
| 50000+： | ￥0.336145 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00