STGW100H65FB2-4

制造商编号:
STGW100H65FB2-4
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
规格说明书:
STGW100H65FB2-4说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 76.86433 76.86
10 69.420351 694.20
100 57.474053 5747.41

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: HB2
封装/外壳: TO-247-4
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 145 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.8V @ 15V,100A
功率 - 最大值: 441 W
开关能量: 1.06mJ (开), 1.14mJ (关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 288 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 23ns/141ns
测试条件: SOT-323FL
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4
标准包装: 30

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STGW100H65FB2-4

型号:STGW100H65FB2-4

品牌:ST意法半导体

描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1

库存:0

单价:

1+: ¥76.86433
10+: ¥69.420351
100+: ¥57.474053
500+: ¥53.306892

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥76.86