TK28N65W,S1F

制造商编号:
TK28N65W,S1F
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
规格说明书:
TK28N65W,S1F说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
30 44.199211 1325.98

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: DTMOSIV
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 @ 13.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 75 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3000 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 230W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPW60R125C6FKSA1 Infineon Technologies ¥51.92000 类似
AOK42S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥52.53000 类似
IXFX48N60Q3 IXYS ¥215.96000 类似
IXKH35N60C5 IXYS ¥89.24000 类似
APT38N60BC6 Microchip Technology ¥47.08000 类似

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TK28N65W,S1F

型号:TK28N65W,S1F

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247

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30+: ¥44.199211

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