货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥3.916575 | ¥3.92 |
10 | ¥3.179264 | ¥31.79 |
100 | ¥2.167544 | ¥216.75 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ON(安森美) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 860mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 150 毫欧 @ 950mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 5.6 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 458 pF @ 16 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 170mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-563 |
封装/外壳: | SOT-563,SOT-666 |
标准包装: | 4,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
CMLDM8120 TR | Central Semiconductor Corp | ¥5.45000 | 直接 |
NTZS3151PT1G
型号:NTZS3151PT1G
品牌:ON安森美
描述:MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
库存:0
单价:
1+: | ¥3.916575 |
10+: | ¥3.179264 |
100+: | ¥2.167544 |
500+: | ¥1.625938 |
1000+: | ¥1.219447 |
2000+: | ¥1.117853 |
4000+: | ¥1.117828 |
8000+: | ¥1.077792 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.92