货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥23.101573 | ¥23.10 |
10 | ¥20.749142 | ¥207.49 |
100 | ¥16.67752 | ¥1667.75 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | SuperMESH™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 750 毫欧 @ 4.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 70 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1370 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 35W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | I2PAKFP(TO-281) |
封装/外壳: | TO-262-3 整包,I²Pak |
标准包装: | 50 |
STFI10NK60Z
型号:STFI10NK60Z
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKFP
库存:0
单价:
1+: | ¥23.101573 |
10+: | ¥20.749142 |
100+: | ¥16.67752 |
500+: | ¥13.702167 |
1000+: | ¥11.35323 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.10