PD20010S-E

制造商编号:
PD20010S-E
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
规格说明书:
PD20010S-E说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
晶体管类型: LDMOS
频率: 2GHz
增益: 11dB
电压 - 测试: 13.6 V
额定电流(安培): 5A
噪声系数: -
电流 - 测试: 150 mA
功率 - 输出: 10W
电压 - 额定: 40 V
封装/外壳: PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)
供应商器件封装: PowerSO-10RF(直引线)
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
CGHV40100P Wolfspeed, Inc. ¥2,299.21000 类似
CE3512K2 CEL ¥10.67000 类似
BLA9G1011LS-300GU Ampleon USA Inc. ¥2,087.79000 类似

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PD20010S-E

型号:PD20010S-E

品牌:ST意法半导体

描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

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