库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥38.382431 | ￥38.38 |
| 10 | ￥34.499427 | ￥344.99 |
| 100 | ￥28.264613 | ￥2826.46 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Transphorm |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 312毫欧 @ 5A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.6V @ 500µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 9.6 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值）: | ±18V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 760 pF @ 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 21W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 3-PQFN（8x8） |
| 封装/外壳: | 3-PowerDFN |
| 标准包装: | 240 |
TP65H300G4LSG
型号：TP65H300G4LSG
品牌：Transphorm
描述：GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥38.382431 |
| 10+： | ￥34.499427 |
| 100+： | ￥28.264613 |
| 240+： | ￥26.814958 |
| 480+： | ￥24.061009 |
| 500+： | ￥24.061196 |
| 1000+： | ￥20.292568 |
| 2000+： | ￥19.765497 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥38.38