库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): | 210 µA @ 2 V |
| 漏极电流 (Id) - 最大值: | 1 mA |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): | 200 mV @ 1 µA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3.5pF @ 2V |
| 功率 - 最大值: | 100 mW |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装: | VTFP |
| 标准包装: | 8,000 |
TF262TH-5-TL-H
型号：TF262TH-5-TL-H
品牌：ON安森美
描述：JFET N-CH 1MA 100MW
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