STW26NM60

制造商编号:
STW26NM60
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
规格说明书:
STW26NM60说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 135 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 102 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2900 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 313W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AOK42S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥52.53000 类似
SPW24N60C3FKSA1 Infineon Technologies ¥65.74000 类似
IPW60R120P7XKSA1 Infineon Technologies ¥47.08000 类似
APT30N60BC6 Microchip Technology ¥44.85000 类似
APT38N60BC6 Microchip Technology ¥51.76000 类似

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STW26NM60

型号:STW26NM60

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3

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