货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥149.625581 | ¥149.63 |
10 | ¥137.537665 | ¥1375.38 |
100 | ¥117.655267 | ¥11765.53 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | M |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | NPT,沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 160 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 360 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 1.95V @ 15V,120A |
功率 - 最大值: | 625 W |
开关能量: | 1.8mJ(开),4.41mJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 420 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 66ns/185ns |
测试条件: | 400V,120A,4.7 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 202 ns |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-247-3 裸露焊盘 |
供应商器件封装: | MAX247™ |
标准包装: | 600 |
STGYA120M65DF2
型号:STGYA120M65DF2
品牌:ST意法半导体
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
库存:0
单价:
1+: | ¥149.625581 |
10+: | ¥137.537665 |
100+: | ¥117.655267 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥149.63