RGT8BM65DTL

制造商编号:
RGT8BM65DTL
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
IGBT 650V 8A 62W TO-252
规格说明书:
RGT8BM65DTL说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.983914 16.98
10 15.249047 152.49
100 12.253381 1225.34

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 12 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,4A
功率 - 最大值: 62 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 13.5 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 17ns/69ns
测试条件: 400V,4A,50欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 40 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: TO-252
标准包装: 2,500

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RGT8BM65DTL

型号:RGT8BM65DTL

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:IGBT 650V 8A 62W TO-252

库存:0

单价:

1+: ¥16.983914
10+: ¥15.249047
100+: ¥12.253381
500+: ¥10.067608
1000+: ¥8.341723
2500+: ¥8.140914

货期:1-2天

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