货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥201.001093 | ¥201.00 |
10 | ¥184.764094 | ¥1847.64 |
100 | ¥156.043293 | ¥15604.33 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | Linear L2™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 45 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 255 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 10500 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 540W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-268AA |
封装/外壳: | TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA |
标准包装: | 30 |
IXTT60N20L2
型号:IXTT60N20L2
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 200V 60A TO268
库存:0
单价:
1+: | ¥201.001093 |
10+: | ¥184.764094 |
100+: | ¥156.043293 |
500+: | ¥138.811633 |
1000+: | ¥130.543931 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥201.00