货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥7.062268 | ¥7.06 |
10 | ¥6.235435 | ¥62.35 |
100 | ¥4.782821 | ¥478.28 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | U-MOSIX-H |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.7 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 0.2mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 27 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2500 pF @ 20 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 630mW(Ta),86W(Tc) |
工作温度: | 175°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-TSON Advance(3.1x3.1) |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
标准包装: | 5,000 |
TPN3R704PL,L1Q
型号:TPN3R704PL,L1Q
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
库存:0
单价:
1+: | ¥7.062268 |
10+: | ¥6.235435 |
100+: | ¥4.782821 |
500+: | ¥3.781198 |
1000+: | ¥3.024963 |
2000+: | ¥2.741378 |
5000+: | ¥2.578088 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.06