FQD3P50TM-AM002BLT

制造商编号:
FQD3P50TM-AM002BLT
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 500V 2.1A TO252
规格说明书:
FQD3P50TM-AM002BLT说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 13.266619 13.27
10 11.820595 118.21
100 9.218124 921.81

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: QFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 欧姆 @ 1.05A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 660 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),50W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

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FQD3P50TM-AM002BLT

型号:FQD3P50TM-AM002BLT

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 500V 2.1A TO252

库存:0

单价:

1+: ¥13.266619
10+: ¥11.820595
100+: ¥9.218124
500+: ¥7.615338
1000+: ¥6.376519
2500+: ¥6.376519

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