2SK879-Y(TE85L,F)

制造商编号:
2SK879-Y(TE85L,F)
制造商:
Toshiba东芝
描述:
JFET N-CH 0.1W USM
规格说明书:
2SK879-Y(TE85L,F)说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.852727 3.85
10 3.282797 32.83
100 2.453777 245.38

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 1.2 mA @ 10 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 400 mV @ 100 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8.2pF @ 10V
功率 - 最大值: 100 mW
工作温度: 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: USM
标准包装: 3,000

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2SK879-Y(TE85L,F)

型号:2SK879-Y(TE85L,F)

品牌:Toshiba东芝

描述:JFET N-CH 0.1W USM

库存:0

单价:

1+: ¥3.852727
10+: ¥3.282797
100+: ¥2.453777
500+: ¥1.927822
1000+: ¥1.489683
3000+: ¥1.358223
6000+: ¥1.270613

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