1N6001B

制造商编号:
1N6001B
制造商:
Microchip微芯
描述:
DIODE ZENER 11V 500MW DO35
规格说明书:
1N6001B说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
455 17.463578 7945.93

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 11 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 18 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8.4 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: DO-35
标准包装: 1

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BZX55C11-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.61000 类似
1N5348BRLG onsemi ¥3.76000 类似
BZX79-C9V1,133 Nexperia USA Inc. ¥1.23000 类似
BZX79-B11,133 Nexperia USA Inc. ¥1.84000 类似
BZX79-C9V1,113 Nexperia USA Inc. ¥1.23000 类似

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1N6001B

型号:1N6001B

品牌:Microchip微芯

描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35

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