FDD26AN06A0-F085

制造商编号:
FDD26AN06A0-F085
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
规格说明书:
FDD26AN06A0-F085说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 14.509976 14.51
10 13.005514 130.06
100 10.139576 1013.96

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta),36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 26 毫欧 @ 36A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 800 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 75W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFR1205TRPBF Infineon Technologies ¥10.37000 类似
SQD23N06-31L_GE3 Vishay Siliconix ¥13.52000 类似

客服

购物车

FDD26AN06A0-F085

型号:FDD26AN06A0-F085

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA

库存:0

单价:

1+: ¥14.509976
10+: ¥13.005514
100+: ¥10.139576
500+: ¥8.376372
1000+: ¥6.612844

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥14.51