SH8K4TB1

制造商编号:
SH8K4TB1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
规格说明书:
SH8K4TB1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 15.581886 15.58
10 14.031677 140.32
100 11.280055 1128.01

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1190pF @ 10V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOP
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRL6372TRPBF Infineon Technologies ¥8.22000 类似

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SH8K4TB1

型号:SH8K4TB1

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8

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10+: ¥14.031677
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