S3JBHR5G

制造商编号:
S3JBHR5G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
规格说明书:
S3JBHR5G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.689261 6.69
10 5.853725 58.54
100 4.486032 448.60

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V @ 3 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 1.5 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 40pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商器件封装: DO-214AA(SMB)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 850

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S3JBHR5G

型号:S3JBHR5G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

库存:0

单价:

1+: ¥6.689261
10+: ¥5.853725
100+: ¥4.486032
850+: ¥3.546129
1700+: ¥2.836868
2550+: ¥2.570902
5950+: ¥2.417782

货期:1-2天

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