货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥16.039305 | ¥16.04 |
10 | ¥14.332176 | ¥143.32 |
100 | ¥11.173676 | ¥1117.37 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | M |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 12 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 24 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2V @ 15V,6A |
功率 - 最大值: | 24.2 W |
开关能量: | 36µJ(开),200µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 21.2 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 15ns/90ns |
测试条件: | 400V,6A,22 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 140 ns |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装: | TO-220FP |
标准包装: | 50 |
STGF6M65DF2
型号:STGF6M65DF2
品牌:ST意法半导体
描述:IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
库存:0
单价:
1+: | ¥16.039305 |
10+: | ¥14.332176 |
100+: | ¥11.173676 |
500+: | ¥9.230782 |
1000+: | ¥8.020784 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.04