库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥123.46535 | ￥123.47 |
| 10 | ￥113.484923 | ￥1134.85 |
| 100 | ￥98.004383 | ￥9800.44 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolMOS™ G7 |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 44A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 50 毫欧 @ 15.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 800µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 68 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2670 pF @ 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 245W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-HSOF-8-2 |
| 封装/外壳: | 8-PowerSFN |
| 标准包装: | 2,000 |
IPT60R050G7XTMA1
型号：IPT60R050G7XTMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF
库存：0
单价：
| 1+： | ￥123.46535 |
| 10+： | ￥113.484923 |
| 100+： | ￥98.004383 |
| 2000+： | ￥98.004395 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥123.47