FDB0190N807L

制造商编号:
FDB0190N807L
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
规格说明书:
FDB0190N807L说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 59.196227 59.20
10 53.157242 531.57
100 43.549947 4354.99

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 270A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.7 毫欧 @ 34A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 249 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 19110 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),250W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
标准包装: 800

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FDB0190N807L

型号:FDB0190N807L

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7

库存:0

单价:

1+: ¥59.196227
10+: ¥53.157242
100+: ¥43.549947
800+: ¥37.073424
1600+: ¥35.530393

货期:1-2天

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