- 制造商编号：
- TSM110NB04DCR RLG
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
- 规格说明书：
- TSM110NB04DCR RLG说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.973728 | ￥25.97 |
| 10 | ￥23.356461 | ￥233.56 |
| 100 | ￥18.775064 | ￥1877.51 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Ta），48A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 11 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 25nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1506pF @ 20V |
| 功率 - 最大值: | 2W（Ta），48W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 155°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | 8-PDFN（5x6） |
| 标准包装: | 2,500 |
TSM110NB04DCR RLG
型号：TSM110NB04DCR RLG
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
库存：0
单价：
| 1+： | ￥25.973728 |
| 10+： | ￥23.356461 |
| 100+： | ￥18.775064 |
| 500+： | ￥15.425908 |
| 1000+： | ￥12.781424 |
| 2000+： | ￥12.020191 |
| 5000+： | ￥12.020191 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.97