IRFHS9301TRPBF

制造商编号:
IRFHS9301TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
规格说明书:
IRFHS9301TRPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.405093 8.41
10 7.409164 74.09
100 5.68239 568.24

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta),13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 37 毫欧 @ 7.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 580 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.1W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-PQFN(2x2)
封装/外壳: 6-PowerVDFN
标准包装: 4,000

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IRFHS9301TRPBF

型号:IRFHS9301TRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN

库存:0

单价:

1+: ¥8.405093
10+: ¥7.409164
100+: ¥5.68239
500+: ¥4.491627
1000+: ¥3.743027
4000+: ¥3.743027

货期:1-2天

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