库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥13.535607 | ￥33839.02 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | TI(德州仪器) |
| 系列: | NexFET™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 40A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V |
| 功率 - 最大值: | 12W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | 8-VSON-CLIP（5x6） |
| 标准包装: | 2,500 |
CSD86356Q5D
型号：CSD86356Q5D
品牌：TI德州仪器
描述：25V POWERBLOCK N CH MOSFET
库存：0
单价：
| 2500+： | ￥13.535607 |
货期：1-2天
+ -
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