SB2M-M3/5BT

制造商编号:
SB2M-M3/5BT
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
规格说明书:
SB2M-M3/5BT说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
16000 1.107582 17721.31

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V @ 2 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 16pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商器件封装: DO-214AA(SMB)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 3,200

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
S2K onsemi ¥3.30000 类似
S2M onsemi ¥3.69000 类似
CURB207-G Comchip Technology ¥3.92000 类似

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SB2M-M3/5BT

型号:SB2M-M3/5BT

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA

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