IGB50N65S5ATMA1

制造商编号:
IGB50N65S5ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3
规格说明书:
IGB50N65S5ATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 32.919157 32.92
10 29.55429 295.54
100 24.214616 2421.46

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: TrenchStop™ 5
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.7V @ 15V,50A
功率 - 最大值: 270 W
开关能量: 1.23mJ(开),740µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 120 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 20ns/139ns
测试条件: 400V,50A,8.2 欧姆,15V
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3
标准包装: 1,000

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IGB50N65S5ATMA1

型号:IGB50N65S5ATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3

库存:0

单价:

1+: ¥32.919157
10+: ¥29.55429
100+: ¥24.214616
500+: ¥21.596289
1000+: ¥21.5963

货期:1-2天

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