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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.3A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 18 nC @ 4.5 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 750 pF @ 16 V |
| FET 功能: | 肖特基二极管（隔离式） |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装: | 2,500 |
NTMSD2P102R2
型号：NTMSD2P102R2
品牌：ON安森美
描述：MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
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