TK31E60X,S1X

制造商编号:
TK31E60X,S1X
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
规格说明书:
TK31E60X,S1X说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 51.562015 51.56
10 46.348619 463.49
100 37.972371 3797.24

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: DTMOSIV-H
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 88 毫欧 @ 9.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 65 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3000 pF @ 300 V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): 230W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPP65R095C7XKSA1 Infineon Technologies ¥54.99000 类似

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TK31E60X,S1X

型号:TK31E60X,S1X

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220

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单价:

1+: ¥51.562015
10+: ¥46.348619
100+: ¥37.972371
500+: ¥32.325442
1000+: ¥27.262467
2000+: ¥26.554351

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