BSS84AKM,315

制造商编号:
BSS84AKM,315
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3
规格说明书:
BSS84AKM,315说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.016043 4.02
10 2.979083 29.79
100 1.6891 168.91

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 230mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.35 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 36 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 340mW(Ta),2.7W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-883
封装/外壳: SC-101,SOT-883
标准包装: 10,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated ¥3.46000 类似

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BSS84AKM,315

型号:BSS84AKM,315

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3

库存:0

单价:

1+: ¥4.016043
10+: ¥2.979083
100+: ¥1.6891
500+: ¥1.118698
1000+: ¥0.857655
2000+: ¥0.745741
5000+: ¥0.671164
10000+: ¥0.5966

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