STF13NM60ND

制造商编号:
STF13NM60ND
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
规格说明书:
STF13NM60ND说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 43.442894 43.44
10 39.015299 390.15
100 31.969444 3196.94

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: FDmesh™ II
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 845 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 25W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 50

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STF13NM60ND

型号:STF13NM60ND

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

库存:0

单价:

1+: ¥43.442894
10+: ¥39.015299
100+: ¥31.969444
500+: ¥27.215269
1000+: ¥26.082621

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