6A10-T

制造商编号:
6A10-T
制造商:
Diodes美台
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
规格说明书:
6A10-T说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 6A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 6 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: R-6,轴向
供应商器件封装: R-6
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N5554 Microchip Technology ¥66.66000 类似

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6A10-T

型号:6A10-T

品牌:Diodes美台

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