STH300NH02L-6

制造商编号:
STH300NH02L-6
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK
规格说明书:
STH300NH02L-6说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1000 28.030912 28030.91

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 109 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7050 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: H²PAK
封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
标准包装: 1,000

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STH300NH02L-6

型号:STH300NH02L-6

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK

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