货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥12.344684 | ¥12.34 |
10 | ¥11.07374 | ¥110.74 |
100 | ¥8.630678 | ¥863.07 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.9A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3 欧姆 @ 1.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 8.9 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 170 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta),25W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D-Pak |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装: | 75 |
IRFR9210PBF
型号:IRFR9210PBF
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥12.344684 |
10+: | ¥11.07374 |
100+: | ¥8.630678 |
500+: | ¥7.130029 |
1000+: | ¥5.628868 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.34