PHK24NQ04LT,518

制造商编号:
PHK24NQ04LT,518
制造商:
NXP恩智浦
描述:
MOSFET N-CH 40V 21.2A 8SO
规格说明书:
PHK24NQ04LT,518说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: TrenchMOS™
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.7 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 64 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2985 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 6.25W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FDS4470 onsemi ¥13.13000 类似
FDS8449 onsemi ¥7.30000 类似
AO4484 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥5.07000 类似
FDS8449-F085 onsemi ¥10.37000 类似
IRF7470TRPBF Infineon Technologies ¥14.36000 类似

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PHK24NQ04LT,518

型号:PHK24NQ04LT,518

品牌:NXP恩智浦

描述:MOSFET N-CH 40V 21.2A 8SO

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