库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥0.353561 | ￥3535.61 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 50 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 50 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 300mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装: | 10,000 |
BSS138-13-F
型号：BSS138-13-F
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 10K
库存：0
单价：
| 10000+： | ￥0.353561 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00