IXTA260N055T2-7

制造商编号:
IXTA260N055T2-7
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 55V 260A TO263-7
规格说明书:
IXTA260N055T2-7说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
50 57.551017 2877.55

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: TrenchT2™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 260A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.3 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10800 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 480W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7(IXTA)
封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DMTH6004SCTBQ-13 Diodes Incorporated ¥24.88000 类似
IRFS3107TRLPBF Infineon Technologies ¥44.47000 类似

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IXTA260N055T2-7

型号:IXTA260N055T2-7

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 55V 260A TO263-7

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